We present the results of structural and morphological investigations of interactions between phases in the layers of Au-Pd-Ti-Pd-n<^>+-GaN contact metallization that appear at rapid thermal annealing (RTA). It is shown that formation of ohmic contact occurs in the course of RTA at <$E T~=~900~symbol Р roman C> due to formation of titanium nitride. We studied experimentally and explained theoretically the temperature dependence of contact resistivity <$E rho sub c (T)> of ohmic contacts in the 4,2 - 380 K temperature range. The <$E rho sub c (T)> curve was shown to flatten out in the 4,2 - 50 K range. As temperature grew, <$E rho sub c> decreased exponentially. The results obtained enabled us to conclude that current flow has field nature at saturation of <$E rho sub c (T)> and the thermofield nature in the exponential part of <$E rho sub c (T)> curve.

 Наукова періодика України 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Саченко Анатолій Васильович (фізико-математичні науки)
• Бєляєв Олександр Євгенович (1947–) (фізико-математичні науки)
• Капітанчук Леонід Мусійович (фізико-математичні науки)
• Капітанчук Леонiд Мусійович (технічні науки)
• Конакова Раїса Василівна (1941–) (фізико-математичні науки)
• Кучук Андріан Володимирович (1979–) (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"