Антиферромагнитные (АФМ) материалы находят применение в устройствах спинтроники в роли "подмагничивающих" прослоек для ферромагнетиков, в том числе в элементах магнитной памяти. Рассмотрена наночастица, которая представляет собой многослойную структуру - синтетический мультиферроик, содержащий пьезоэлектрический и АФМ-слои, в качестве потенциального носителя информации. Хранение информации соответствует определённой ориентации АФМ-вектора в наночастице. Проанализированы возможные способы переключения состояния такой частицы с помощью магнитного поля и предложен метод упрощения процесса переориентации АФМ-вектора, используя для управления состоянием образца не только магнитное, но также и электрическое поле.

• Кондович Світлана Валентинівна (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"