С помощью рентгеновской дифракции и сканирующей электронной микроскопии исследовано влияние температуры подложки и показателя концентрации СН4 на поведение тонких поликристаллических алмазных пленок при разрушении. Показано, что поведение при разрушении тонких поликристаллических алмазных пленок, синтезированных химическим осаждением покрытия с помощью плазменной струи при постоянном токе, зависит от температуры подложки и показателя концентрации СН4. Большая температура подложки приводит к возникновению высоких остаточных напряжений в тонких поликристаллических алмазных пленках вследствие различных значений коэффициента теплового расширения подложки и алмазной пленки, которые, как правило, оказываются выше значений сопротивления разрушению тонкой алмазной пленки и алмаза. Обнаружено, что вязкость разрушения уменьшается с увеличением показателя концентрации СН4. По достижении высоких показателей концентрации СН4 в тонких пленках образуются такие дефекты и примеси, как трещины, микроскопические отверстия, углерод в форме графита и аморфный углерод. Температуру подложки и показатель концентрации СН4 необходимо контролировать в надлежащем диапазоне.

 Наукова періодика України 

---

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"