Исследован процесс деградации контакта Шоттки NbN - GaAs методом измерения спектральных характеристик латеральной фотоэдс. Результаты позволяют установить закономерную связь между формой спектральных кривых, концентрацией азота в пленке NbN и температурой отжига образцов. Показано, что после отжига при <$E T~=~850~symbol Р>C спектральные зависимости всех исследованных образцов с содержанием азота в пленке NbN 2 - 20 % имеют одинаковую форму с двумя максимумами противоположного знака, что указывает на формирование контакта Шоттки между NbN и GaAs. Отжиг при <$E T~=~900~symbol Р>C приводит к изменению формы спектральной характеристики для образцов с концентрацией азота в пленке NbN 15 и 20 %, формированию проводящего переходного слоя в области истощения контакта Шоттки и ухудшению его электрофизических характеристик. Вследствие отжига при <$E T~=~950~symbol Р>C происходит деградация контакта Шоттки для всего исследованного диапазона концентрации азота в пленке NbN.

 Наукова періодика України 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Венгер Євген Федорович (1947–2024) (фізико-математичні науки)
• Шеховцов Леонід Валентинович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"