Розглянуто вплив технологічних режимів вирощування подвійних гетеропереходів p<^>+-InP/n-InGaAsP/n-InP методом рідинно-фазної епітаксії на їх фотоелектричні властивості. Показано, що вирощування додаткового буферного шару n-InP на шарі n-InGaAsP, а також зменшення часу вирощування емітерного p<^>+-InP шару, легованого цинком, призводить до збігу металургійної та електричної гетеромеж, що обумовлює реалізацію ефекту "широкозонного вікна" на спектрах фоточутливості гетеропереходів. Проаналізовано еволюцію спектрів електролюмінесценції гетеропереходів залежно від технологічних режимів їх вирощування і показано можливість їх використання для створення ефективних ІЧ-світлодіодів з <$E lambda sub max~=~1,06> мкм.

Індекс рубрикатора НБУВ: З843.3

Рубрики:

Напівпровідникові матеріали та вироби

Шифр НБУВ: Ж60673 Пошук видання у каталогах НБУВ 
Повний текст  Наукова періодика України 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Круковський Семен Іванович (технічні науки)
• Сукач Андрій Васильович (фізико-математичні науки)
• Тетьоркін Володимир Володимирович (фізико-математичні науки)
• Мрихін Ігор Олександрович (технічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"