Брус В. В. Виготовлення та властивості p - n-переходів на основі Cd1-xZnxTe / В. В. Брус, М. І. Ілащук, Б. М. Грицюк, О. А. Парфенюк, П. Д. Мар'янчук // Вост.-Европ. журн. передовых технологий. - 2013. - № 6/12. - С. 107-109. - Бібліогр.: 10 назв. - укp.Проведено дослідження електричних властивостей напівпровідникових p - n-переходів, створених у процесі опромінення кристалів Cd1-xZnxTe імпульсами потужного лазерного випромінювання. Встановлено, що створені структури відносяться до різких p - n-переходів, вольтамперні характеристики яких визначаються генераційно-рекомбінаційними процесами як в області просторового заряду, так і на межі розділу рекристалізованого шару та об'єму напівпровідника. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.21 + З843.3
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж24320 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) ![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|