Гадзыра Н. Ф. Планарные углеродные дефекты в структуре кубического карбида кремния / Н. Ф. Гадзыра, Г. Г. Гнесин, А. А. Михайлик // Доп. НАН України. - 2002. - № 2. - С. 107-112. - Библиогр.: 12 назв. - рус.
Two phases of silicon carbide characterized by close lattice parameters are distinguished in the solid solution of carbon in <$E beta >-SiC by high-resolution XRD. They transformed into one phase after high-pressure sintering. <$E nothing sup 29 roman Si > NMR data on the initial SiC-C solid solution powder and that sintered at high pressure confirmed the high-resolution XRD data completely. The inhomogeneous structure of the SiC-C solid solution characterized by the existence of thin diamond layers inside <$E beta >-SiC crystals is established by transmission electron microscopy.
Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"