Molecular-beam epitaxy was used to prepare arrays of elastically strained self-assembled Ge quantum dots on Si(100). The influence of elastic strains on the lateral size of Ge quantum dots calculated by a mathematical model showed a rather simple dependence. It is found that the lateral size of islands increases linearly with <$E 1 "/" epsilon sup 2>, where <$E epsilon> is the relative deformation.

• Рубежанська Марія Юріївна (фізико-математичні науки)
• Чуйко Олексій Олексійович (1930–2006) (хімічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"