GaP LEDs with atypical current characteristics are studied by optical and electrical methods. The thin structure of an S-shaped NDR region which appears in the current-voltage characteristics at low temperatures (100 - 77 K) after irradiation has become more expressive and possesses the higher oscillation amplitude. The high destructive influence of fast neutrons on the emitting recombination is caused by two factors: the electrical fields of radiation defects and the capture of charged carriers by their levels.

 Наукова періодика України 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Конорева Оксана Володимирівна (фізико-математичні науки)
• Петренко Ірина Володимирівна (психологічні науки)
• Петренко Інна Володимирівна (філологічні науки)
• Петренко Ігор Віталійович (технічні науки)
• Петренко Ірина Вікторівна (фізичне виховання та спорт)
• Петренко Ігор Вячеславович (юридичні науки)
• Тартачник Володимир Петрович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"