Вишневський М. І. Вплив нейтронного опромінення на вольтамперні характеристики фосфідо-галієвих світлодіодів / М. І. Вишневський, О. В. Конорева, В. І. Кочкін, В. Ф. Ластовецький, П. Г. Литовченко, В. Я. Опилат, В. П. Тартачник // Доп. НАН України. - 2010. - № 6. - С. 69-74. - Бібліогр.: 15 назв. - укp.Досліджено вплив опромінення швидкими нейтронами реактора (<$E E Bar> = 1 МеВ) на вольтамперні характеристики (ВАХ) фосфідо-галієвих світлодіодів. Виявлено зсув додатних гілок ВАХ в область менших напруг за малих доз опромінення та невеликих робочих струмів. Установлено, що зростання диференційного опору за великих доз зумовлено збільшенням опору бази. В основі механізму, який спричиняє спостережувані зміни, є падіння часу життя неосновних носіїв струму та захват основних носіїв глибокими рівнями введених радіацією дефектів. Індекс рубрикатора НБУВ: З852.27-01
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж22412/а Пошук видання у каталогах НБУВ
Повний текст Наукова періодика України Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) ![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|