Плющай І. В. Електронний, зарядовий та магнітний стани точкових дефектів в монокристалах кремнію / І. В. Плющай, В. А. Макара, О. І. Плющай // Доп. НАН України. - 2011. - № 9. - С. 82-89. - Бібліогр.: 14 назв. - укp.Розраховано електронні спектри надкомірки з 64 атомів кремнію, що містить точковий дефект (ТД) - власний дефект (вакансію та міжвузловий атом), кисень і вуглець у міжвузловому положенні та стані заміщення. Розрахунок проведено за допомогою методу linear muffin-tin orbital. Розглянуто зміни густини електронних станів монокристалів кремнію, а також можливість формування магнітних моментів на дефектах. Показано, що частково заповнена домішкова підзона, яка спостерігається для вакансії, атомів кисню та вуглецю в міжвузловому положенні може призводити до формування магнітного моменту. Проаналізовано зарядовий стан ТД у монокристалах кремнію. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222 + В379.271.26
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж22412/а Пошук видання у каталогах НБУВ Повний текст Наукова періодика України Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|