Розглянуто один із способів визначення параметр анізотропії термоерс захоплення електронів фононами <$E M~=~alpha sub || sup PHI "/" alpha sub {symbol <94>} sup PHI> у багатодолинних кристалах n-Ge і n-Si. Встановлено зв'язок термоерс у недеформованому (<$E alpha sub 0>) і в сильно деформованому (<$E alpha sub inf>) кристалі (за механічного навантаження <$E X~symbol О~inf>) з поперечною фононною компонентою (<$E alpha sub {symbol <94>} sup PHI>) і параметром анізотропії термоерс захоплення електронів фононами M, а також зв'язок термоерс захоплення у недеформованому кристалі з параметром анізотропії рухливості електронів у межах окремо взятого ізоенергетичного еліпсоїда <$E K~=~mu sub {symbol <94>} "/" mu sub ||>. Наведено формули для розрахунку концентраційних залежностей параметра анізотропії рухливості <$E K~=~K(n sub e ,~N sub d ,~N sub a )> у випадку невиродженого електронного газу в кристалах.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.271.51

Рубрики:

Термоелектричні явища

Шифр НБУВ: Ж22412/а Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Гайдар Галина Петрівна (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"