Баранський П. І. Вплив високотемпературного відпалу на параметри анізотропії рухливості і анізотропії термоерс захоплення електронів фононами в n-Si / П. І. Баранський, Г. П. Гайдар // Доп. НАН України. - 2014. - № 5. - С. 70-75. - Бібліогр.: 15 назв. - укp.У дослідах з кристалами n-Si, легованими домішкою фосфору через розплав і шляхом ядерної трансмутації, досліджено вплив високотемпературного відпалу (за <$E T~=~1200~symbol Р roman C> протягом 2 год) на параметр анізотропії рухливості <$E K~=~mu sub symbol <94> "/" mu sub ||> і параметр анізотропії термоерс захоплення електронів фононами <$E M~=~alpha sub || sup PHI "/" alpha sub symbol <94> sup PHI>. Показано, що в кристалах кремнію, легованих через розплав, термовідпал призводить до помітного зниження величини M, тоді як у трансмутаційно легованих зразках значення цього параметра збільшується в ~ 1,5 разу. Встановлено, що параметр анізотропії рухливості K у кристалах обох типів залишається практично незмінним. Запропоновано пояснення одержаних результатів. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.221
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж22412/а Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) ![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|