Теоретично розглянуто явище дегібридизації для інтерметалічних ізоструктурних сполук ряду RAl2Si2 (R - Sm, Eu, Gd, Tb, Er, Yb). Показано фізичну природу виникнення <$E delta>-подібного піка, величина якого є пропорційною кількості вузлів (N), утворених структурними елементами R - Si. У порівнянні з одиничною домішкою величина <$E delta>-подібного піка зростає в N разів. Це зумовлено тим, що орбіталі R - Si відіграють роль електронних дефектів, періодично розташованих у межах всієї кристалічної решітки. Проведені експериментальні та теоретичні дослідження показали високу ступінь кореляції та самоузгодженості, що надає змогу розглядати атомні зв'язки R - Si як своєрідні електронні дефекти, сильно збурюючи електронну систему сполук ряду RAl2Si2. Таке збурення проявляється у виникненні інтенсивних резонансних піків електронних станів, які формуються у валентній зоні досліджуваних інтерметалідів у результаті дії дегібридизаційного фактора.

• Ніколюк Петро Карпович (фізико-математичні науки)
• Ніколайчук Володимир Якович (технічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"