Досліджено фізичну природу екситонних процесів і перколяційних переходів у двофазних неузгоджених і неупорядкованих низьковимірних системах: поодиноких квантових ямах, надгратках, сферичних квантових точках II - VI напівпровідників, вирощених у різних діелектричних матрицях. Показано зв’язок енергії електронів, дірок та екситонів з параметрами процесу епітаксійного росту цих структур. Доведено, що енергія екситонів зумовлена просторовим і діелектричним конфайнментом електронів і дірок, а також міжфазовим неузгодженням. Зауважено, що останнє явище є наслідком неузгодження між матеріальними параметрами матриці та напівпровідника, та виступає у вигляді граткового, температурного або діелектричного. Це призводить до виникнення інтерфейсного непорядку у квантових об’єктах та утворення локалізованих станів екситонів, що істотно впливає на енергетичний спектр зразків. У діелектричних матрицях з квантовими точками ZnSe та CdS доведено утворення перколяційного переходу екситонів, що відобразилось у зміні кольору зразків та радикальній перебудові оптичних спектрів. Показано роль мікроскопічних флуктуацій густини квантових точок на порозі перколяції. Розраховано середню віддаль між найближчими (сусідніми) квантовими точками на порозі за умов, що вони займають лише незначну частину об’єму матриці. Вперше виявлено випромінювання із перколяційного кластера як фрактального об’єкта. Аналіз структури смуги фотолюмінесценції дав можливість зробити висновок, що вона сформована випромінюванням зі структурних елементів перколяційного кластера, а саме: остова (хребта), мертвих кінців та внутрішніх порожнин. Запропоновано якісну модель для пояснення залежності енергії екситонів у структурних елементах перколяційного кластера від щільності (концентрації) квантових точок у матриці. Зазначено, що розуміння природи таких процесів дозволяє моделювати процеси у реальних мезо - та мікроскопічних системах, таких як товстоплівкові резистори, сенсорні системи, суміші провідних і непровідних частинок різних геометричних форм, пористі матеріали. Запропонований механізм перколяційного переходу екситонів у зразках з різним об’ємом дискретних включень і різною топологією простору базується на квантовій перколяціі екситонів. Наголошено, що це дозволяє задовільно описати утворення рівня протікання останніх за досягнення квантовими точками сумарного критичного об’єму, меншого за 0,1 об’єму матриці.

• Бондар Михайло Віталійович (1959–) (фізико-математичні науки)
• Бондар Микола Володимирович (фізико-математичні науки)
• Бондар Микола Васильович (технічні науки)
• Бондар Марина Валеріївна (педагогічні науки)
• Бондар Мар'яна Володимирівна (філологічні науки)
• Бондар Михайло Володимирович (медичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"