Досліджено механізми впливу адсорбції чужорідних атомів на властивості поверхонь кремнію та германію, які найчастіше використовуються в сучасній мікро- та наноелектроніці. Простежено процеси адсорбції та коадсорбції атомів елементів V групи (As, Sb та Ві) та кисню на поверхні Si(001), дифузії аддимерів Ві на поверхні Si(001) та аддимерів Si, Ge на поверхні Ge(001), що застосовуються в процесах гетероепітаксії та впливають на хімічні властивості поверхні. Запропоновано модель взаємодії адатомів кисню з поверхнями Si(001), вкритих атомами металів V групи (As, Sb та Ві). На основі цієї моделі пояснено залежність активності системи M/Si(001) щодо взаємодії з киснем. Знайдено величини енергетичних бар’єрів елементарних актів дифузії аддимерів Si, Ge на поверхні Ge(001) та Ві на поверхні Si(001). Розраховані величини бар’єрів дифузії узгоджуються з величинами, що були одержані експериментально за допомогою сканувальної тунельної мікроскопії.

• Афанас'єва Тетяна Вікторівна (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"