Викладено результати експериментальних досліджень фотоелектричних властивостей двох типів гетероструктур з наноострівцями In _xGa _1-xAs/GaAs (тип І) та Si _1-xGe _x/Ge (тип ІІ), фотолюмінесценцію структури типу І та комбінаторне розсіяння світла структури типу ІІ. Методом термостимульованої провідності досліджено оптичні властивості глибоких дефектних станів та їх енергетичний спектр. Теоретично описано форму спектрів фотолюмінесценції та фотопровідності та кінетику фотоструму та температурні залежності латерального фотоструму.

• Головинський Сергій Леонідович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"