Мета дослідження - розробка методів радіаційної модифікації властивостей напівпровідникових сполук GaAs та CdS за допомогою іонізуючих випромінювань (гамма-квантів, швидких електронів і легких іонів), а також сильно струмових імпульсних електронних пучків з метою створення оптично однорідних кристалів. Досліджено фізичні процеси, які проходять в них за високих рівнів збудження, для створення високоефективних лазерів з електронним накачуванням. Модифіковані напівпровідникові кристали були використані для експериментального доказу екситонно-плазмового фазового переходу Мотта. Одержано фундаментальні рівняння екситонного лазера, виведено умови інверсної населеності та генерації. На прикладі прямозонної напівпровідникової сполуки CdS розглянуто теорію та технологію створення немесбауерівського гамма-лазера. Вивчено рекомбінаційні та радіаційні явища у даних сполуках, які використовувались як активні середовища. Оптимізовано властивості даних матеріалів та умови їх роботи, створено лазери з гранично високими вихідними характеристиками. Встановлено залежності найважливіших характеристик таких лазерів - спектральних, порогових, енергетичних - від властивостей та особливостей зонної будови матеріалу, енергетичного спектру домішкових атомів і фізико-хімічних властивостей напівпровідників, типу домішки та ступеня радіаційного легування, робочої температури і рівня збудження. Досліджено процеси деградації лазерів даного типу під дією власного випромінювання й електронного пучка, що дозволяє оптимізувати умови роботи їх активних середовищ.

• Гаркавенко Олександр Семенович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"