Кахраманов К. Ш. Самоорганізація низькорозмірних наноструктур у шаруватих кристалах типу <$E bold roman {A sub 2 sup V B sub 3 sup VI}> / К. Ш. Кахраманов, Ф. К. Алескеров, С. Ш. Кахраманов, С. А. Насибова // Термоелектрика. - 2013. - № 4. - С. 58-71. - Бібліогр.: 14 назв. - укp.Одержано матеріали з масивами наноострівців, гофрованими й східчастими структурами - нанонитками різних розмірів і густин розподілу. Описано механізм утворення перелічених вище наноструктур, пов'язаний з міграцією, коалесценцією й кластеруванням наноострівців у міжшаровому просторі нерозчиненої в шарах домішки й надстехіометричного надлишку, а також пов'язаний із впливом пластичної деформації за тиску теплової хвилі, що утворює гофровані структури. Виявлено одновимірні канали протікання заряду, визначено перколяційний характер транспорту носіїв заряду в сітці відповідної густини розподілу квантових точок. Досягнуто збільшення термоелектричних характеристик наноструктурованих кристалів. Індекс рубрикатора НБУВ: В371.236 + Ж364.204
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж23042 Пошук видання у каталогах НБУВ
Повний текст Наукова періодика України
![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|