Козицкий А. В. Влияние метода формирования пленочных наногетероструктур ZnO/CdS и TiO2/CdS на их фотоэлектрохимические свойства / А. В. Козицкий, А. Л. Строюк, С. Я. Кучмий, Е. А. Стрельцов, Н. А. Скорик, В. О. Москалюк // Теорет. и эксперим. химия. - 2013. - 49, № 3. - С. 153-158. - Библиогр.: 16 назв. - рус.Изучены фотоэлектрохимические свойства наноструктурированных пленок ITO/TiO2/CdS и ITO/ZnO/CdS, полученных методом SILAR и фотокаталитическим восстановлением серы этанолом в присутствии солей Cd(II). Наноструктуры, полученные последним методом, характеризуются значительно более высокой плотностью фототока (в 2 раза в случае систем на основе ZnO и в 5 раз - на основе TiO2) при облучении белым светом (<$E lambda ~>>~400> нм) в водных растворах сульфида натрия, чем гетероструктуры, полученные традиционным методом SILAR. Індекс рубрикатора НБУВ: Г552.7 + Г582.2
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж29112 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) ![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|