В настоящее время активно исследуются приборы, которые могут работать в миллиметровом и субмиллиметровом диапазонах. Для освоения данного диапазона используют твердотельные генераторы, работающие на частотах 100 - 150 ГГц, с последующим умножением с помощью умножителей частоты этих относительно низких частот до необходимого уровня (реально, пока, до 1 - 2 ТГц). Предложены полупроводниковые приборы, которые могут применяться как генераторы, усилители. Они представляют собой диоды с отрицательной дифференциальной проводимостью, которая возникает за счет боковых туннельной или резонансно-туннельной границ (РТГ). В исследовании рассмотрены электронные процессы в диодах с РТГ на основе GaAs, при условии, что РТГ ограничена по протяженности. Определены зависимости активной и реактивной составляющих импеданса планарного диода с РТГ для реальных параметров диодов. Показано, что частотные возможности диода с РТГ существенно зависят от местоположения границы и эффективность генерации и частотный диапазон уменьшаются при перемещении РТГ к аноду.

 Наукова періодика України 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Боцула Олег Вікторович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"