Наведено результати експериментального дослідження зворотних вольтамперних характеристик структур Mo/n-n<^>+-Si з бар'єром Шотки, опромінених <$E lambda>-квантами <^>60Со дозами 0, 10 та 100 кГр. Дослідження проведено в температурному діапазоні 120 - 330 К, а також в умовах ультразвукового навантаження за кімнатної температури (частота коливань 9,6 МГц, інтенсивність повздовжніх хвиль до 1,3 Вт/см<^>2). Встановлено, що основними механізмами перенесення заряду є термоелектрична емісія, пряме тунелювання через глибокий центр та стимульоване фононами тунелювання, причому внесок останнього механізму стає суттєвим лише після опромінення. Вперше виявлено ефект акустоіндукованого оборотного збільшення величини зворотного струму; розглянуто можливість застосовування ефекту для створення сенсора <$E lambda>-опромінення. Показано, що особливості виявленого ефекту можуть бути пояснені іонізацією дефектів на межі розділу за рахунок взаємодії ультразвуку з дислокаціями та радіаційними точковими порушеннями періодичності в неопромінених та опромінених структурах відповідно.

Індекс рубрикатора НБУВ: З852.2

Рубрики:

Напівпровідникові діоди

Шифр НБУВ: Ж24835 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Оліх Олег Ярославович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"