Досліджено вплив тривалої витримки p - n-переходів на основі GaAs у вологих парах NH3 з парціальним тиском 12 кПа на їх характеристики як сенсорів парів води та аміаку. Встановлено, що вказана обробка веде до утворення повільних донорних поверхневих центрів з часом десорбції <$E tau~=~3,3~cdot~10 sup 5> с, які суттєво підвищують чутливість сенсорів. Досягнуто порога чутливості сенсорів до парів аміаку <$E P sub a sup min~=~0,1> Па (що відповідає 1 ppm), чутливості 40 нА/Па до парів NH3 та 25 нА/кПа до парів води. Верхня межа області чутливості сенсорів парів аміаку після вказаної обробки складає 200 Па і обумовлена наявністю поверхневих рівнів глибиною 0,18 - 0,20 еВ. Розширення області чутливості сенсора в результаті обробки надало змогу виявити кілька повільних глибоких поверхневих рівнів у GaAs.

Індекс рубрикатора НБУВ: З32-503 + З852-06

Рубрики:

Теплотехнічні вимірювання

Напівпровідникові прилади

Шифр НБУВ: Ж24835 Пошук видання у каталогах НБУВ 
Повний текст  Наукова періодика України 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Птащенко Федір Олександрович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"