Панасюк Л. І. Датчики тиску: об'ємні напівпровідники, ниткоподібні кристали, нанопровідники / Л. І. Панасюк, В. М. Єрмаков, В. В. Коломоєць, А. В. Божко, Л. В. Ящинський // Сенсор. електрон. і мікросистем. технології. - 2013. - 10, № 2. - С. 84-87. - Бібліогр.: 6 назв. - укp.Наведено експериментальні результати щодо зміни симетрії в одновісно-деформованих вздовж головних кристалографічних напрямків вироджених кристалах p-Si. Показано, що за умов зміни симетрії ефективні маси дірок також істотно змінюються особливо в області слабких одновісних деформацій, які відповідають за п'єзоефект в напівпровідниках, об'ємних кристалах, ниткоподібних напівпровідниках та у нанопровідниках. Індекс рубрикатора НБУВ: З323-5
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж24835 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|