Мостовой А. И. Электрические свойства анизотипных гетеропереходов n-ТiО2:Mn/p-CdTe / А. И. Мостовой, В. В. Брус, П. Д. Марьянчук, К. С. Ульяницкий // Технология и конструирование в электрон. аппаратуре. - 2013. - № 1. - С. 45-48. - Библиогр.: 8 назв. - рус.Исследованы электрические свойства анизотипных гетеропереходов n-ТiО2:Mn/p-CdTe, изготовленных методом электронно-лучевого испарения в вакууме пленки ТiО2:Mn на монокристаллические подложки CdTe. Установлены доминирующие механизмы токопереноса при прямых и обратных смещениях гетероперехода. Досліджено електричні властивості анізотіпних гетеропереходів n-ТiО2:Mn/p-CdTe, виготовлених методом електронно-променевого випаровування у вакуумі плівки ТiО2:Mn на монокристалічні підкладки CdTe. Встановлено домінуючі механізми токоперенесення за прямих і зворотних зміщень гетеропереходу. The authors have investigated electronic properties of n-TiO2:Mn/p-CdTe anisotype heterojunctions, produced by the method of electron-beam evaporation of TiO2:Mn film on single-crystal CdTe substrates in vacuum. The dominant mechanism of charge transport in the forward and reverse bias has been established. Індекс рубрикатора НБУВ: З843.3 + З852-06
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж14479 Пошук видання у каталогах НБУВ Повний текст Наукова періодика України Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|