Приведены результаты исследований вольтамперных характеристик (ВАХ) гетероструктур MoRe - Si(W) - MoRe вида сверхпроводник - легированный полупроводник - сверхпроводник при различных уровнях легирования вольфрамом полупроводникового слоя. Показана возможность реализации различных типов ВАХ таких структур в зависимости от концентрации примесей в полупроводнике: линейной ВАХ в условиях отсутствия легирования, ВАХ с недостатком тока в случае низких концентраций (до 3 - 4 ат. %) примесей, ВАХ с избытком тока в случае увеличения концентрации примесей. Обсуждены физические механизмы, определяющие транспорт заряда в таких структурах.

• Шаповалов Андрій Петрович (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"