Electron relaxation processes at nitrogen temperatures in CdTe/Hg1-xCdxTe/CdTe quantum well (QW) with an inverted band structure is modelled. In this structure, scattering by longitudinal optical phonons, charged impurities, acoustic phonons and interfaces were taken into account. It was found that for undoped and lightly doped QWs (concentration of background n-type charged impurities in the well is 10<^>14 - 10<^>16 cm<^>-3 or less), for x close to the band inversion value 0,16, the electron mobility grows considerably when the QW width decreases. This mobility is higher for samples with smaller concentrations of charged impurities.

 Наукова періодика України 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Гуменюк-Сичевська Жанна Віталіївна (фізико-математичні науки)
• Сизов Федір Федорович (1946–) (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"