Вперше встановлено зв'язок між особливостями низькотемпературної поведінки електричних властивостей легованих ниткоподібних кристалів (НК) Si p-типу провідності на змінному струмі за впливу температури, магнетного поля та деформації, особливостями польових і температурних залежностей магнетних характеристик кристалів із концентрацією домішки в околі переходу металдіелектрик (ПМД), що покладено в основу прогнозування параметрів і концепції створення сенсорів деформації та реактивних (індуктивних і ємнісних) елементів твердотільної електроніки. Вперше встановлено розмірні залежності терморезистивних характеристик НК Si p-типу провідності для зразків з поперечним розміром від 5 до 40 мкм з концентрацією домішки, що відповідає ПМД, які зумовлені особливостями розподілу домішки внаслідок нерівноважного росту. Вперше встановлено появу від'ємного магнетоопору в легованих НК Si з концентрацією домішки, що відповідає ПМД у поперечному магнетному полі та кореляцію між значеннями магнетоопору та механізмами провідності, які реалізуються залежно від питомого опору зразків і температури вимірювання. Виявлено, що характер терморезистивних залежностей опору та магнетоопору НК Si з концентрацією легуючої домішки, що відповідає ПМД, в інтервалі низьких температур визначається ефектом Кондо, що дозволяє пояснити природу особливостей терморезистивних і магнетних характеристик досліджуваних кристалів.

• Корецький Роман Миколайович (технічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"