Анатичук Л. І. Вплив розмірних ефектів на властивості термоелектричних матеріалів / Л. І. Анатичук, П. В. Горський, В. П. Михальченко // Термоелектрика. - 2014. - № 1. - С. 5-12. - Бібліогр.: 15 назв. - укp.Розмірні ефекти, що можуть впливати на властивості термоелектричних матеріалів поділяються на класичні та квантові. Перші - це ті, у яких розмір формотворного елемента структури матеріалу вздовж хоча б однієї з координатних вісей сумірний з довжлтою вільного пробігу носіїв струму або фононів. У других цей розмір сумірний з довжиною хвилі де Бройля електронів (дірок). Розглянуто винятково класичні розмірні ефекти. При цьому проаналізовано формотвірні елементи структури у вигляді малих сферичних часток і у вигляді півсфер, що контактують через круглу площадку (плямі) радіусу, малого у порівнянні з радіусом півсфер. Вплив розмірних ефектів на електропровідність матеріалу розглянуто в наближенні постійної (щодо енергії) довжини вільного пробігу електронів (дірок), оскільки саме це наближення слушне для Bi2Te3 за розсіювання носіїв заряду на деформаційному потенціалі акустичних фононів в актуальній для термоелектрики області температур. Вплив розмірних ефектів на граткову теплопровідність матеріалу розглянуто у 2-х наближеннях: постійної довжини вільного пробігу фононів і довжини вільного пробігу, що залежить від частоти за рахунок N- і U-процесів міжфононних зіткнень, які актуальні в області температур 300 К й вищих і здатні модифікувати розсіювання на границях. З результатів розгляду випливає, що в наближенні постійних довжин вільного пробігу електронів і фононів виграш в термоелектричній добротності з переходом від монокристала до наноструктурованого, екструдованого або SPS-матеріалу на основі порошку не виявлено. Однак з врахуванням залежності довжини вільного пробігу фононів від частоти встановлено, що у разі переходу від монокристалічного матеріалу до матеріалу на основі порошку термоелектрична добротність може зрости приблизно вдвічі у порівнянні з монокристалом за орієнтованого розташування площин спайності формотвірних елементів, або приблизно на 20 % за випадкового розташування цих площин. При цьому розміри сферичних часток наноструктурованого матеріалу або наноконтактів між мікропівсферами мають перебувати в межах 10 - 40 нм. Індекс рубрикатора НБУВ: В371.236 + В377.151 + Ж370.6
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж23042 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) ![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|