Ромака В. А. Оптимізація параметрів нового термоелектричного матеріалу HfNiSn1-xSbx / В. А. Ромака, Р. Рогль, В. В. Ромака, Ю. В. Стадник, Р. О. Корж, А. М. Горинь, В. Я. Крайовський, О. І. Лах // Термоелектрика. - 2014. - № 1. - С. 46-53. - Бібліогр.: 10 назв. - укp.Досліджено кристалічну та електронну структури, температурні й концентраційні залежності питомого електроопору та коефіцієнта термоЕРС інтерметалічного напівпровідника n-HfNiSn, легованого домішкою Sb, у діапазоні <$ET~=~80~symbol Ш~400> К. Встановлено основні механізми електропровідності, які узгоджуються з результатами теоретичних досліджень електронної структури HfNiSn1-xSbx. Показано, а це прогнозувалося, що одержаний термометричний матеріал HfNiSn1-xSbx має високу ефективність перетворення теплової енергії в електричну. Індекс рубрикатора НБУВ: В377.151 + Ж370.6
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж23042 Пошук видання у каталогах НБУВ
Повний текст Наукова періодика України Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) ![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|