Проведено розрахунки відношення інтенсивностей основної і додаткової ліній, енергетичної відстані між ними для квантових ям (КЯ) з асиметричним потенціальним профілем. Обгрунтовано, що додаткова лінія в екситонному спектрі КЯ може бути пояснена переходами між утримуваними в КЯ станами валентних електронів і електронів провідності з різною парністю, які перестають бути забороненими у присутності асиметрії потенціального профілю, спричиненої технологією вирощування КЯ. Показано, що додаткова екситонна лінія типу e1-hh2 є більш інтенсивною в більшій частині актуальних випадків. Зокрема, показано, що додаткова екситонна лінія в структурах вирощених методом лазерної абляції, може бути пояснена як e1-hh2 перехід. Розрахунки показують суттєву чутливість не лише до параметра розширення інтерфейсу, але й до функції його профілю. Зроблено висновок, що метод лазерної абляції призводить до більшої асиметрії КЯ, ніж метод молекулярно-пучкової епітаксії.

• Рябченко Сергій Михайлович (1940–) (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"