Виконано аналітичний і числовий розрахунки перенормування L- та I-фононами електронного та діркового спектрів з повним урахуванням конфігураційної взаємодії у квантовій точці (КТ), вміщеній в напівпровідникове середовище. Конкретний розрахунок виконано для гетеросистеми GaAs/Al_xGa_{1 - x}As. Установлено, що зсуви основних рівнів електрона та дірки формуються взаємодією цих квазічастинок з L- та I-фононами за участю всіх станів дискретного та неперервного спектрів. Для малих розмірів КТ зсуви основних енергетичних рівнів квазічастинок мають сильно нелінійну залежність, а для великих радіусів КТ вони практично не залежать від розміру КТ та близькі за величиною до зсувів основних рівнів у масивному кристалі, з якого утворена КТ. Через різницю ефективних мас важкої та легкої дірок розщеплення їх основних рівнів має складну залежність від радіуса КТ та концентрації Al(x) у середовищі Al_xGa_{1 - x}As.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"