Теоретично досліджується енергетичний спектр домішки з незаповненою 3d-оболонкою, що заміщує катіон в напівпровіднику з структурою цинкової обманки у випадку наявності в кристалі ідеальної поверхні. Модельний гамільтоніан напівпровідника будувався в моделі напівемпіричного сильного зв'язку, а енергії глибоких 3d-рівнів визначалися методом функцій Гріна в рамках моделі Кікоєна-Флерова. Числові розрахунки виконано для домішки Cr в напівпровіднику CdTe з ідеальною поверхнею [100]. Показано, що у випадку розташування домішки поблизу поверхні відбувається суттєва перебудова її енергетичного спектра. Одноелектронні t₂- і e- рівні, що обумовлені 3d-центрами в об'ємному напівпровіднику для системи, обмеженої ідеальною поверхнею, внаслідок пониження симетрії розщеплюються. Величина розщеплення різко зростає для домішки, розташованої безпосередньо на атомній площині, що утворює ідеальну поверхню. Внаслідок полярності поверхні [100] напівпровідника CdTe можливе існування двох типів поверхні, які по-різному впливають на енергетичний спектр 3d-домішок. Встановлено основні механізми формування одноелектронних глибоких рівнів в забороненій зоні напівпровідника для двох типів поверхні.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"