Досліджено спектри низькотемпературної люмінесценції при варіації рівня збудження I_зб у широкому діапазоні для одиночних квантових ям (КЯ) ZnS/ZnSe та об'ємних кристалів і епітаксійних шарів CdS. У першому випадку знайдено прояви неоднорідності гетерограниці, тобто флуктуацій товщини КЯ. Визначено енергетичну позицію краю рухливості для екситонів, локалізованих на флуктуаціях. У другому випадку систематично вивчено вплив зростання I_зб не лише на екситонну, а й на пов'язану з домішками крайову люмінесценцію. На відміну від загальноприйнятих раніше уявлень, із збільшенням I_зб аж до порогу руйнування не спостерігалося ніякого насичення інтенсивності крайової люмінесценції в об'ємних кристалах CdS. У той же час в епітаксійних шарах товщиною декілька мікронів таке насичення справді мало місце. Запропоновано пояснення на якісному рівні, яке враховує дифузію (недифузійний транспорт) носіїв зі збудженого приповерхневого шару.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"