У рамках зонної моделі з врахуванням електрон-деформаційного зв'язку досліджено електронний перерозподіл в околі стінки дислокацій в залежності від ступеня заповнення (0 < nbar < 1) зон провідності. Доведено, що зі збільшенням ступеня заповнення зони провідності nbar перерозподіл має більш локалізований в околі площини дислокацій характер. Встановлено, що збільшення відстані між сусідніми дислокаціями призводить до збільшення періоду зміни перерозподілу електронної густини Delta n вздовж розміщення стінки дислокацій, а зміна амплітуди електронного перерозподілу як функції відстані до площини дислокацій має за даних умов більш плавний характер.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"