Досліджено зонну структуру широко-розмірних <$E roman Si sub {2~-~x} roman C sub x ~(1,04~<<~x~<<~1,10)> нанокристалів (НК) з розмірами від 20 до 35 нм, використовуючи різні методи розрахунків зонної структури та модифікований молекулярно-динамічний метод геометричної оптимізації інтерфейсів Кара-Парінелло. Нестехіометричний надлишок вуглецю сприяє появі тонких (біля 1 нм) шарів вуглецю на поверхнях НК. У результаті спостерігається істотна перебудова граничних кристалічних шарів SiC. Числовим моделюванням показано, що ці НК можна розглядати як модифіковані структури кристалів SiC з розмірами біля 2 нм. Одержані результати розглянуто у межах різних одно-електронних підходів. Незалежним експериментальним проявом цих наноефектів є екситонні ефекти, які проявляються в низькотемпературних спектрах поглинання як гострі абсорбційні резонанси, що походять з реконструйованих шарів.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"