Для сферичної наногетероструктури Si/SiO2, нехтуючи гофрованістю ізоенергетичних поверхонь в k-просторі, використано дірковий <$ {bold roman k} Vec~{bold roman p} vec> гамільтоніан <$E 3 times 3> для огинаючих хвильових функцій (гамільтоніан ефективної маси) у процесі обчислення дискретних станів дірки та водневоподібної акцепторної домішки як функції розмірів квантової точки. Дослідження проведено для скінченного потенціалу на межі гетероструктури. Визначено залежність енергетичного спектра дірки від поляризаційних зарядів, що виникають на гетеромежах, і від діелектричної проникності матриці. На базі точних розв'язків для електрона та дірки побудовано хвильову функцію та визначено енергію основного стану екситона. Проведено порівняння з експериментальними даними.

Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222

Рубрики:

Дефекти напівпровідників

Шифр НБУВ: Ж41279 Пошук видання у каталогах НБУВ 

---

Додаткова інформація про автора(ів) публікації:
(cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)

• Бойчук Василь Іванович (1953–2018) (фізико-математичні науки)
• Білинський Ігор Васильович (1964–) (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"