Boichuk V. I. Properties of a charge in the nanoheterosystems with quantum wells and barriers / V. I. Boichuk, I. V. Bilynskyi, I. O. Shakleina, V. B. Holskyi // Condensed Matter Physics. - 2010. - 13, № 1. - С. 13701. - Бібліогр.: 24 назв. - англ.На базі моделі Кроніга - Пенні з <$E delta>-подібними потенціалами досліджено тришарову наногетероструктуру, в якій біля меж поділу існує перехідний шар, відстань між крайніми атомами якого є параметром задачі та може змінюватись від нуля до двох сталих граток кристалів. Одержано точну формулу для коефіцієнта відбивання R, з якої можна визначити залежність коефіцієнта від хвильового вектора, величини перехідного шару та величини квантової ями (бар'єру) гетероструктури. Конкретні обчислення проведено для гетеросистем GaAs/AlAs/GaAs і AlAs/GaAs/AlAs. Порівняно коефіцієнти відбивання у наближенні огинаючих та у методі ефективної маси за малих значень хвильового вектора. Показано, що близькі результати можна одержати, якщо використати граничні умови Гарісона у разі відповідно підібраних параметрів. Для косинусоїдальної залежності енергії від хвильового вектора, яка виникає в моделі Кроніга - Пенні, в межах методу S-матриці розсіяння визначено енергію зв'язаних станів для гетероструктури з квантовою ямою (типу AlAs/GaAs/AlAs). Індекс рубрикатора НБУВ: В371.3
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж41279 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці)  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|