В нематичному рідкому кристалі (РК) ЕББА, допованому багатошаровими вуглецевими нанотрубками (БШВНТ), поблизу перколяційної концентрації БШВНТ (<$E (0,02~symbol Ш~0,05)> ваг. %) нещодавно спостережено виразний необоротний електрооптичний відгук (ефект пам'яті). Цей ефект зумовлений необоротною переорієнтацією РК в електричному полі з гомеотропного у планарний стан. Ця особливість пояснюється електрогідродинамічно стимульованою диспергацією БШВНТ у РК і формуванням перколяційної сітки БШВНТ, яка діє як просторово розподілена поверхня, що стабілізує планарний стан РК. Цей механізм підтверджується відсутністю пам'яті в композитах ЕББА/БШВНТ, у яких початкова структура зафіксована полімером. Цей ефект може бути корисним для розробки нових типів запам'ятовуючих і бістабільних РК пристроїв, а також для підсилення диспергації БШВНТ безпосередньо в РК комірках.

• Ярощук Олексій Вікторович (економічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"