Для квантової точки (КТ) GaAs у напівпровідниковій матриці AlAs досліджено вплив форми КТ на енергетичний спектр дірки та оптичні властивості, зумовлені міжрівневими переходами заряду, на базі гамільтоніана <$E 4~times~4>. Обчислення проведено за допомогою теорії збурень з врахуванням гібридизації станів для кубічної, еліпсоїдальної, циліндричної та тетраедричної форми за зміни об'єму КТ. На підставі проведених обчислень енергії та визначених хвильових функцій станів дірки встановлено правила відбору та досліджено залежність коефіцієнта міжрівневого діркового поглинання світла від форми та об'єму КТ.

• Бойчук Василь Іванович (1953–2018) (фізико-математичні науки)
• Білинський Ігор Васильович (1964–) (фізико-математичні науки)
• Шаклеіна Ірина Олександрівна (фізико-математичні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"