Досягнуто значного експериментального розщеплення Рабі (3,4 меВ) для обмежених подяритонів у плоскому напівпровідниковому <$E lambda> мікрорезонаторі для одиночної квантової ями GaAs (10 нм), розміщеної в антивузлі. Явище розщеплення Рабі обговорено на базі напівкласичної теорії, коли для опису системи використовуються два зв'язані гармонічні осцилятори (екситони та фотони). В такий спосіб можна одержати дисперсійну криву поляритонів, мінімальне значення для коефіцієнта відбивання резонатора та силу осцилятора для досягнення сильнозв'язаного режиму. Цей підхід описує ансамбль екситонів, обмежених одною квантовою ямою, та враховує дисипацію. Результати представляють як слабозв'язаний режим з посиленням спонтанної емісії, так і сильнозв'язаний режим, коли спостерігається розщеплення Рабі на дисперсійній кривій. Теоретичні результати порівняно з експериментальними даними для поведінки коефіцієнта відбивання за резонансних і нерезонансних умов і є дуже точними. Це надає можливість з високою точністю визначити силу осциляторів обмежених однією квантовою ямою екситонів.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"