Tagaev M. B. Effect of ultrasound treatment of silicon IMPATT diodes on reverse branches of their I - V curves / M. B. Tagaev // Functional Materials. - 1998. - 5, № 4. - С. 601-603. - Бібліогр.: 6 назв. - англ.
Корпусовані кремнієві двопрольотні лавинно-прольотні діоди (ЛПД) були оброблені ультразвуком. Це спричинило істотне зменшення зворотного струму діодів та поліпшило стабільність їхніх вольтамперних характеристик. Наступне перебування діодів на відкритому повітрі протягом трьох місяців не привело до зникнення ефектів.
Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"