РЕФЕРАТИВНА БАЗА ДАНИХ "УКРАЇНІКА НАУКОВА"
Abstract database «Ukrainica Scientific»


Бази даних


Реферативна база даних - результати пошуку


Вид пошуку
Пошуковий запит: (<.>ID=REF-0000517813<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 1

Tagaev M. B. 
Effect of ultrasound treatment of silicon IMPATT diodes on reverse branches of their I - V curves / M. B. Tagaev // Functional Materials. - 1998. - 5, № 4. - С. 601-603. - Бібліогр.: 6 назв. - англ.

Корпусовані кремнієві двопрольотні лавинно-прольотні діоди (ЛПД) були оброблені ультразвуком. Це спричинило істотне зменшення зворотного струму діодів та поліпшило стабільність їхніх вольтамперних характеристик. Наступне перебування діодів на відкритому повітрі протягом трьох місяців не привело до зникнення ефектів.


Індекс рубрикатора НБУВ: З851.122

Рубрики:

Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ 
  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
 
Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського
Відділ наукового формування національних реферативних ресурсів
Інститут проблем реєстрації інформації НАН України

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського