У межах зонної моделі з урахуванням електрон-деформаційної взаємодії досліджено вплив зовнішнього електричного поля, накладеного на кристал з крайовою дислокацією, на ступінь локалізації електронних станів у кристалі. Визначено відмінність у зміні енергетичного положення локалізованих електронних станів залежно від концентрації електронів провідності відповідно за наявності та відсутності зовнішнього електричного поля.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"