Для прогнозування електрофізичних властивостей CdZnTe залежно від складу в ньому домішок і дефектів використано багаторівневу модель електричної компенсації напівпровідникових монокристалів з урахуванням довільної кількості дрібних, одно- дво- та тризарядових глибоких донорів та акцепторів, а також амфотерних домішок. Модель покладено до основи прикладної програми для розрахунку властивостей напівпровідникових матеріалів, визначених зовнішніми діями або умовами експлуатації. Одержано тривимірні залежності питомого опору й енергії глибокого донора для різного домішкового складу CdZnTe. Кількісно досліджено оптимальні діапазони концентрацій домішок для одержання напівізолювального CdZnTe. Наведено порівняльний аналіз модельних залежностей зміни питомого опору CdTe і CdZnTe для аналогічних домішкових складів, визначено переваги матеріалу телуриду кадмію з цинком.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"