Методами термостимульованої електронної емісії, оже-електронної спектроскопії і оптичної абсорбційної спектрофотометрії досліджені закономірності радіаційного дефектоутворення, накопичення дефектів і радіолізу кристалів CsI при опроміненні електронами середніх енергій у широкому діапазоні потужностей і доз опромінення. Оцінено критичні потужності і поглинуті дози електронного опромінення, які зумовлюють утворення і накопичення радіаційних дефектів в об'ємі кристалів і порушення стехіометрії поверхні. Встановлено дози електронного опромінення, при яких відбувається радіоліз CsI з виділенням цезію в металічну фазу, у чому спостерігається деяка квазіперіодичність від дози опромінення.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"