Розглянуто специфічні властивості механізмів атомної дифузії у напівпровідниках, визначених взаємодією домішок і точкових дефектів з електронно-дірковою підсистемою. Ця взаємодія виявляє себе у перерозподілі домішки по зарядовим станам, які розрізняються за дифузійною рухомостю, у змінюванні концентрації точкових дефектів і вакансій та власних міжвузлових атомів, за участю яких здійснюється дифузія домішки (або самодифузія), а також в існуванні внутрішнього електричного поля. Зазначено, що важливою проблемою вивчення механізмів атомної дифузії в напівпровідниках є з'ясування ролі точкових дефектів у дифузії домішок і самодифузії.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"