Розглянуто нові результати досліджень змін розчинності тонких аморфних плівок As S Se і As₂S₃, що індуковані під впливом світла та електронного променя. Показано, що напівпровідникові резисти на основі аморфних халькогенідів можуть бути використані в голографії та у виробництві дифракційних оптичних елементів за допомогою електронно-променевої літографії.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"