Teteris J. Amorphous chalcogenide semiconductor resists for holography and electron-beam lithography / J. Teteris, T. Jaaskelainen, J. Turunen, K. Jefimov // Functional Materials. - 1999. - 6, № 3. - С. 580-584. - Бібліогр.: 15 назв. - англ.Розглянуто нові результати досліджень змін розчинності тонких аморфних плівок As S Se і As2S3, що індуковані під впливом світла та електронного променя. Показано, що напівпровідникові резисти на основі аморфних халькогенідів можуть бути використані в голографії та у виробництві дифракційних оптичних елементів за допомогою електронно-променевої літографії. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.24 + В343.43
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ
![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|