Yur'eva E. I. Atomic interaction features in orthorhombic Si2N2O doped by p-elements / E. I. Yur'eva, A. L. Ivanovsky, G. P. Shveikin // Functional Materials. - 1999. - 6, № 4. - С. 640-644. - Бібліогр.: 7 назв. - англ.Xalpha-методом варіювання виконано розрахунки електронної структури та хімічного зв'язку в недопованому оксинітриді кремнію і в Si2N2O, допованому атомами p-елементів (C, Ga, Al). Розраховано кластери [Si(C,Ga,Al)ON3]. Встановлено, що в Si2N2O хімічний зв'язок Si - O є більшою мірою ковалентним, тоді як природа зв'язку Si - N має, в основному, іонний характер. При заміщенні Si на атоми С, Ga, Al усі зв'язки центрального атома з атомами координаційного поліедру набувають значного ступеня ковалентності таким чином, що внесок іонної складової має тенденцію зростати в послідовності C -> Ga -> Al. Зроблено припущення, що допування оксинітриду кремнію вуглецем (за механізмом заміщення Si-позицій) призведе до підвищення когезійних властивостей системи. Індекс рубрикатора НБУВ: В379.222
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ
![](/irbis_nbuv/images/info.png) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|