Досліджено електричні властивості тонких (< 500 ангстрем) алмазоподібних плівок вуглецю (АПП) з високим вмістом sp-3 фракції атомів вуглецю. Показано, що для плівок товщиною до 30 ангстрем спостерігається тунельний характер електропровідності. Характер протікання струму в таких плівках зв'язаний з тунелюванням електронів через бар'єри, які виникають за рахунок кластерів sp-2 гібридизованого вуглецю, що розміщується в сітці sp-3 гібридизованого вуглецю. Для АПП товщиною > 100 ангстрем при збільшених напругах на вольт-амперних характеристиках спостережено формування областей з негативним диференціальним опором (НДО), а також стійкий ефект переключення. Формування НДО пояснено за допомогою існуючої моделі для аморфних надпровідникових та діелектричних плівок - виникнення стрибків струму між мікрообластями sp-2 фази.

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"