За температури 77 К досліджено залежність максимуму h nu_m та півширини смуги W граничної фотолюмінесценції кристалів HIH-GaAs (rho = 1 ^. 10⁷ - 5 ^. 10⁸ OMEGA ^. см) від концентрації фонових акцепторних домішок вуглецю та кремнію N (3,5 ^. 10¹⁵ <= N <= 4 ^. 10¹⁶ см^-3) та рівня збудження L (3 ^. 10²¹ <= L <= 6 ^. 10²² см^-2c^-1). Виявлене збільшення W та зміщення hnu_m зі збільшенням N пов'язане з утворенням хвостів густини станів внаслідок флуктуацій. Розмивання границь дозволених зон зумовлює участь у випромінювальних переходах станів, близьких до рівнів протікання, які зміщені до забороненої зони. Залежність hnu_m та W від L зумовлена утворенням електронно-діркової плазми. Зменшення багаточастинкової взаємодії зі зростанням N пов'язане зі збільшенням екранування носіїв заряду атомами домішок.

• Шутов Станіслав Вікторович (1959–) (технічні науки)

  Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"