Книжкові видання та компакт-диски Журнали та продовжувані видання Автореферати дисертацій Реферативна база даних Наукова періодика України Тематичний навігатор Авторитетний файл імен осіб
|
Пошуковий запит: (<.>ID=REF-0000518057<.>) |
Загальна кількість знайдених документів : 1
|
Kovalenko V. F. Low-temperature luminescence of semi-insulating undoped gallium arsenide at high excitation levels / V. F. Kovalenko, S. V. Shutov // Functional Materials. - 2000. - 7, № 4. - С. 601-605. - Бібліогр.: 8 назв. - англ.За температури 77 К досліджено залежність максимуму h num та півширини смуги W граничної фотолюмінесценції кристалів HIH-GaAs (rho = 1 . 107 - 5 . 108 OMEGA . см) від концентрації фонових акцепторних домішок вуглецю та кремнію N (3,5 . 1015 <= N <= 4 . 1016 см-3) та рівня збудження L (3 . 1021 <= L <= 6 . 1022 см-2c-1). Виявлене збільшення W та зміщення hnum зі збільшенням N пов'язане з утворенням хвостів густини станів внаслідок флуктуацій. Розмивання границь дозволених зон зумовлює участь у випромінювальних переходах станів, близьких до рівнів протікання, які зміщені до забороненої зони. Залежність hnum та W від L зумовлена утворенням електронно-діркової плазми. Зменшення багаточастинкової взаємодії зі зростанням N пов'язане зі збільшенням екранування носіїв заряду атомами домішок. Індекс рубрикатора НБУВ: В374.98
Рубрики:
Шифр НБУВ: Ж41115 Пошук видання у каталогах НБУВ Додаткова інформація про автора(ів) публікації: (cписок формується автоматично, до списку можуть бути включені персоналії з подібними іменами або однофамільці) Якщо, ви не знайшли інформацію про автора(ів) публікації, маєте бажання виправити або відобразити більш докладну інформацію про науковців України запрошуємо заповнити "Анкету науковця"
|
|
|